紅外線加熱裝置 

 

 我國從20世紀60年代開始對紅外線加熱裝置進行了研究、開發(fā)和應(yīng)用。雖然起步較晚，但并不影響紅外線加熱裝置的發(fā)展進程。我國著名的紅外線加熱技術(shù)老前輩湯定元、吉林大學候蘭田教授、中科院上海硅酸鹽研究所的夏繼余等人在遠紅外線的理論研究方面取得了巨大的成果。天津大學褚治德教授率先建立了國內(nèi)第一座多用途實驗室遠紅外干燥爐，在工程理論、應(yīng)用性研究方面獨樹一幟。近幾年山東大學朱波等研制的碳纖維加熱管也已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。   4．1碳化硅陶瓷加熱器 

  碳化硅陶瓷加熱板是我國在20世紀60年代研究開發(fā)的產(chǎn)品[7]。其形狀有平板狀、波浪狀兩種，由于波浪狀的輻射面積大，因而使用較多。圖1是波浪板式輻射元件的結(jié)構(gòu)示意圖，其主要特點是輻射面積大、輻射強度高并且均勻。但這類元件的機械性能一般較脆，不耐撞擊和振動并且安裝檢修較麻煩射面積大，因而使用較多。圖1是波浪板式輻射元件的結(jié)構(gòu)示意圖，其主要特點是輻射面積大、輻射強度高并且均勻。但這類元件的機械性能一般較脆，不耐撞擊和振動并且安裝檢修較麻煩[8]。

        圖1波浪板式遠紅外線輻射元件    碳化硅可分為天然和人造兩種，為六角晶體，色澤有黑色與綠色兩種，具有很高的硬度，熔點為2600℃（分解升華），熱導率隨溫度的增加而減少，從室溫的λ＝489．8W/（m·K）到500℃時的50．2W/（m·K），降低一個數(shù)量級，熱膨脹系數(shù)α相當鎳鉻絲的1/3左右。碳化硅加熱器的表面溫度600℃以下熱響應(yīng)較慢，升溫時間長，但熱穩(wěn)定性好。   4．2金屬管式遠紅外加熱器    氧化鎂管式加熱器的結(jié)構(gòu)如圖2所示。在管的中心是電熱絲，在管的基體與電熱絲的中間填充了氧化鎂粉末，在基體上涂了一層遠紅外輻射涂層。它的機械強度較高、安裝維修方便、質(zhì)量較輕、加熱速度快，在基體與電熱絲之間填充的氧化鎂粉末，可防止氧氣進入使得電阻絲氧化，提高了加熱裝置的使用壽命。它的輻射面積小，若是長期使用，遠紅外輻射涂層容易脫落